Toshiba

Composants discrets

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Description
Détails du produit
  • 2,60 €la pièce
Transistor, PNP Simple, -15 A, -230 V, TO-3PL, 3 broches
  • Type de transistorPNP
  • Courant continu de Collecteur maximum-15 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum-230 V
  • Type de boîtierTO-3PL
  • Type de montageTraversant
Voir produits similaires Transistors bipolaires
  • 1,762 €
    l'unité (en tube de 100)
Transistor, PNP Simple, -15 A, -230 V, TO-3PL, 3 broches
  • Type de transistorPNP
  • Courant continu de Collecteur maximum-15 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum-230 V
  • Type de boîtierTO-3PL
  • Type de montageTraversant
Voir produits similaires Transistors bipolaires
  • 2,19 €la pièce
Transistor, NPN Simple, 10 A, 140 V, TO-3PN, 3 broches
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum10 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum140 V
  • Type de boîtierTO-3PN
  • Type de montageTraversant
Voir produits similaires Transistors bipolaires
  • 2,736 €
    l'unité (par multiple de 5)
Transistor, NPN Simple, 15 A, 230 V, TO-3PL, 3 broches
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum15 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum230 V
  • Type de boîtierTO-3PL
  • Type de montageTraversant
Voir produits similaires Transistors bipolaires
  • 3,06 €la pièce
Transistor, PNP Simple, -15 A, -230 V, TO-3PN, 3 broches
  • Type de transistorPNP
  • Courant continu de Collecteur maximum-15 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum-230 V
  • Type de boîtierTO-3PN
  • Type de montageTraversant
Voir produits similaires Transistors bipolaires
  • 1,694 €
    l'unité (par multiple de 10)
Transistor, PNP Simple, -10 A, -140 V, TO-3PN, 3 broches
  • Type de transistorPNP
  • Courant continu de Collecteur maximum-10 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum-140 V
  • Type de boîtierTO-3PN
  • Type de montageTraversant
Voir produits similaires Transistors bipolaires
  • 5,68 €la pièce
IGBT, GT60J323(Q), , 60 A, 600 V, TO-3PLH, 3 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum60 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum600 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±25V
  • Type de boîtierTO-3PLH
  • Type de montageTraversant
Voir produits similaires IGBT
  • 2,84 €la pièce
Transistor, NPN Simple, 15 A, 230 V, TO-3PN, 3 broches
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum15 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum230 V
  • Type de boîtierTO-3PN
  • Type de montageTraversant
Voir produits similaires Transistors bipolaires
  • 2,855 €
    l'unité (par multiple de 2)
MOSFET Toshiba canal N, TO-3PN 9 A 900 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum9 A
  • Tension Drain Source maximum900 V
  • Série2SK
  • Type de boîtierTO-3PN
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,195 €
    l'unité (par multiple de 25)
Diode CMS Toshiba, 30mA, 5V, SOD-323
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierSOD-323
  • Courant direct continu maximum30mA
  • Tension inverse de crête répétitive5V
  • Configuration de diodeSimple
Voir produits similaires Diodes Schottky et de redressements
  • 5,10 €la pièce
MOSFET Toshiba canal N, TO-3PN 9 A 900 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum9 A
  • Tension Drain Source maximum900 V
  • SérieTK
  • Type de boîtierTO-3PN
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 2,134 €
    l'unité (par multiple de 5)
Transistor, PNP Simple, -15 A, -230 V, TO-3P, 3 broches
  • Type de transistorPNP
  • Courant continu de Collecteur maximum-15 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum-230 V
  • Type de boîtierTO-3P
  • Type de montageTraversant
Voir produits similaires Transistors bipolaires
  • 3,003 €
    l'unité (en tube de 25)
MOSFET Toshiba canal N, TO-3PN 9 A 900 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum9 A
  • Tension Drain Source maximum900 V
  • Type de boîtierTO-3PN
  • SérieTK
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 2,63 €la pièce
IGBT, GT20J341, , 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum20 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum600 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±25V
  • Dissipation de puissance maximum45 W
  • Type de boîtierTO-220SIS
Voir produits similaires IGBT
  • 1,769 €
    l'unité (en tube de 50)
IGBT, GT20J341, , 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum20 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum600 V
  • Tension Grille Emetteur maximum±25V
  • Dissipation de puissance maximum45 W
  • Type de boîtierTO-220SIS
Voir produits similaires IGBT
  • 0,484 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 30 A 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum30 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierTO-220SIS
  • SérieTK
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  • 1,754 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Toshiba canal N, A-220 207 A 100 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum207 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • Type de boîtierA-220
  • SérieTK
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 0,815 €
    l'unité (par multiple de 10)
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 30 A 60 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum30 A
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierTO-220SIS
  • SérieTK
Voir produits similaires Transistors MOSFET
  • 3,05 €la pièce
MOSFET Toshiba canal N, A-220 207 A 100 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum207 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • SérieTK
  • Type de boîtierA-220
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  • 1,148 €
    l'unité (par multiple de 5)
MOSFET Toshiba canal N, SC-67 3 A 900 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum3 A
  • Tension Drain Source maximum900 V
  • Série2SK
  • Type de boîtierSC-67
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